VS-GB100TS60NPBF

VS-GB100TS60NPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB100TS60NPBF
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
288 pcs
Referenzpreis
USD 88.3247/pcs
Unser Preis
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VS-GB100TS60NPBF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB100TS60NPBF
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 108A
Leistung max 390W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall INT-A-Pak
Lieferantengerätepaket INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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