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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › VS-GB100YG120NT
VS-GB100YG120NT

VS-GB100YG120NT - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB100YG120NT
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
OUTPUT SW MODULES - ECONO IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VS-GB100YG120NT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
400 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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VS-GB100YG120NT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB100YG120NT
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 127A
Leistung max 625W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 80µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket ECONO3 4PACK
Gewicht -
Ursprungsland -

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