VS-GB100TP120U

VS-GB100TP120U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB100TP120U
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4394 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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VS-GB100TP120U detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB100TP120U
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 735W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 2mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall INT-A-Pak
Lieferantengerätepaket INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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