VS-GB100TS60NPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GB100TS60NPBF
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	NPT
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	108A
Puissance - Max	390W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.85V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	-
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	INT-A-Pak
Package de périphérique fournisseur	INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-GB100DA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	Détails
VS-GB100LH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100LP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100NH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TH120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TP120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TS60NPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100YG120NT	Vishay Semiconductor Diodes Division	OUTPUT SW MODULES - ECONO IGBT	Détails