VS-GB100TH120U

VS-GB100TH120U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article
VS-GB100TH120U
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
76 pcs
Prix ​​de référence
USD 329.2833/pcs
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VS-GB100TH120U Description détaillée

Numéro d'article VS-GB100TH120U
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200A
Puissance - Max 1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 8.45nF @ 20V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Double INT-A-PAK (3 + 4)
Package de périphérique fournisseur Double INT-A-PAK
Poids -
Pays d'origine -

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