VS-GB100TP120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-GB100TP120N
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	200A
Мощность - макс.	650W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	7.43nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	INT-A-Pak
Пакет устройств поставщика	INT-A-PAK
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-GB05XP120KTPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE MTP SWITCH	подробности
VS-GB100DA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	подробности
VS-GB100LH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	подробности
VS-GB100LP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK	подробности
VS-GB100NH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	подробности
VS-GB100TH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	подробности
VS-GB100TH120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK	подробности
VS-GB100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK	подробности
VS-GB100TP120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK	подробности
VS-GB100TS60NPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK	подробности