| Numero di parte | VS-GB90SA120U |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 149A |
| Potenza - Max | 862W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE MTP SWITCH | Dettagli |
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VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | Dettagli |
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VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GB100LP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GB100NH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GB100TH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GB100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GB100TP120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GB100TS60NPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK | Dettagli |
