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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › VS-GB90DA60U
VS-GB90DA60U

VS-GB90DA60U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB90DA60U
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VS-GB90DA60U PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
VS-GB90DA60U.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
367 pcs
Referenzpreis
USD 73.64/pcs
Unser Preis
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VS-GB90DA60U detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB90DA60U
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 147A
Leistung max 625W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4
Lieferantengerätepaket SOT-227
Gewicht -
Ursprungsland -

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