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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › VS-GB75YF120UT
VS-GB75YF120UT

VS-GB75YF120UT - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB75YF120UT
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VS-GB75YF120UT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
84 pcs
Referenzpreis
USD 321.8075/pcs
Unser Preis
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VS-GB75YF120UT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB75YF120UT
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 480W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 4.5V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket ECONO2 4PACK
Gewicht -
Ursprungsland -

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