대한민국
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

VS-GB75YF120UT - Vishay Semiconductor Diodes Division

부품 번호: VS-GB75YF120UT
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
간단한 설명: IGBT 1200V 100A 480W ECONO
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: VS-GB75YF120UT PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - IGBT - 모듈
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 81 pcs
참고 가격: USD 321.8075/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

VS-GB75YF120UT 상세 설명

부품 번호	VS-GB75YF120UT
부품 상태	Active
IGBT 형	-
구성	-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)	100A
전력 - 최대	480W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic	4.5V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)	250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce	-
입력	Standard
NTC 서미스터	Yes
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Chassis Mount
패키지 / 케이스	Module
공급 업체 장치 패키지	ECONO2 4PACK
무게	-
원산지	-

관련 제품 VS-GB75YF120UT

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	VS-GB05XP120KTPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE MTP SWITCH	세부
	VS-GB100DA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	세부
	VS-GB100LH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	세부
	VS-GB100LP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK	세부
	VS-GB100NH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	세부
	VS-GB100TH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	세부
	VS-GB100TH120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK	세부
	VS-GB100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK	세부
	VS-GB100TP120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK	세부
	VS-GB100TS60NPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK	세부