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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › VS-GB75TP120U
VS-GB75TP120U

VS-GB75TP120U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB75TP120U
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VS-GB75TP120U PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
326 pcs
Referenzpreis
USD 80.9921/pcs
Unser Preis
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VS-GB75TP120U detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB75TP120U
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 105A
Leistung max 500W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 75A (Typ)
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 2mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4)
Lieferantengerätepaket INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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