VS-GB75TP120U

VS-GB75TP120U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article
VS-GB75TP120U
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
327 pcs
Prix ​​de référence
USD 80.9921/pcs
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VS-GB75TP120U Description détaillée

Numéro d'article VS-GB75TP120U
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 105A
Puissance - Max 500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 75A (Typ)
Courant - Coupure du collecteur (Max) 2mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 4.3nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas INT-A-PAK (3 + 4)
Package de périphérique fournisseur INT-A-PAK
Poids -
Pays d'origine -

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