VS-GB400AH120N

VS-GB400AH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GB400AH120N
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
56 pcs
Referenzpreis
USD 452.0175/pcs
Unser Preis
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VS-GB400AH120N detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GB400AH120N
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 650A
Leistung max 2500W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 400A (Typ)
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 30nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Double INT-A-PAK (5)
Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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