VS-GB400AH120N

VS-GB400AH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article
VS-GB400AH120N
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
59 pcs
Prix ​​de référence
USD 452.0175/pcs
Notre prix
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VS-GB400AH120N Description détaillée

Numéro d'article VS-GB400AH120N
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 650A
Puissance - Max 2500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 400A (Typ)
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 30nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Double INT-A-PAK (5)
Package de périphérique fournisseur Double INT-A-PAK
Poids -
Pays d'origine -

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