TPH3208LDG - Transphorm

Artikelnummer	TPH3208LDG
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 300µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 400V
Vgs (Max)	±18V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	96W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13A, 8V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PQFN (8x8)
Paket / Fall	3-PowerDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TPH3202LD	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	Einzelheiten
TPH3202LS	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	Einzelheiten
TPH3202PD	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	Einzelheiten
TPH3202PS	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	Einzelheiten
TPH3205WSB	Transphorm	GAN FET 650V 36A TO247	Einzelheiten
TPH3205WSBQA	Transphorm	GAN FET 650V 35A TO247	Einzelheiten
TPH3206LD	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	Einzelheiten
TPH3206LDB	Transphorm	MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN	Einzelheiten
TPH3206LDGB	Transphorm	GAN FET 650V 16A PQFN88	Einzelheiten
TPH3206LS	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	Einzelheiten