TPH3208LDG Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
TPH3208LDG |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
N-Channel |
| Tecnologia |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
20A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.6V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
14nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
760pF @ 400V |
| Vgs (massimo) |
±18V |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (max) |
96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
130 mOhm @ 13A, 8V |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
PQFN (8x8) |
| Pacchetto / caso |
3-PowerDFN |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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