TPH3208LDG - Transphorm

Numéro d'article	TPH3208LDG
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 400V
Vgs (Max)	±18V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13A, 8V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PQFN (8x8)
Paquet / cas	3-PowerDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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