SSR1N60BTM-WS - ON Semiconductor

Artikelnummer	SSR1N60BTM-WS
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D-Pak
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SSR1N60BTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK	Einzelheiten
SSR1N60BTM-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK	Einzelheiten
SSR1N60BTM_F080	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK	Einzelheiten
SSR1N60BTM_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK	Einzelheiten