SSR1N60BTM-WS - ON Semiconductor

부품 번호	SSR1N60BTM-WS
부품 상태	Not For New Designs
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	215pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	D-Pak
패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
SSR1N60BTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK	세부
SSR1N60BTM-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK	세부
SSR1N60BTM_F080	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK	세부
SSR1N60BTM_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK	세부