SSR1N60BTM-WS

SSR1N60BTM-WS - ON Semiconductor

Número de pieza
SSR1N60BTM-WS
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
SSR1N60BTM-WS Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
646802 pcs
Precio de referencia
USD 0.25456/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para SSR1N60BTM-WS

SSR1N60BTM-WS Descripción detallada

Número de pieza SSR1N60BTM-WS
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA SSR1N60BTM-WS