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SSR1N60BTM-WS - ON Semiconductor

品番: SSR1N60BTM-WS
メーカー: ON Semiconductor
簡単な説明: MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SSR1N60BTM-WS PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 646802 pcs
参考価格: USD 0.25456/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SSR1N60BTM-WS 詳細な説明

品番	SSR1N60BTM-WS
部品ステータス	Not For New Designs
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	215pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.5W (Ta), 28W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D-Pak
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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