SSR1N60BTM_WS

SSR1N60BTM_WS - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
SSR1N60BTM_WS
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
12500 pcs
Referenzpreis
USD 0.2546/pcs
Unser Preis
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SSR1N60BTM_WS detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSR1N60BTM_WS
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 900mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 450mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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