MJD3055T4G

MJD3055T4G - ON Semiconductor

Artikelnummer
MJD3055T4G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 60V 10A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6250 pcs
Referenzpreis
USD 0.2928/pcs
Unser Preis
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MJD3055T4G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MJD3055T4G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Leistung max 1.75W
Frequenz - Übergang 2MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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