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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › MJD31C-13
MJD31C-13

MJD31C-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
MJD31C-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 100V 3A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MJD31C-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
115160 pcs
Referenzpreis
USD 0.2302/pcs
Unser Preis
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MJD31C-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MJD31C-13
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Leistung max 1.56W
Frequenz - Übergang 3MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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