MJD3055G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MJD3055G |
Teilstatus |
Obsolete |
Transistor-Typ |
NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
10A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
60V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
8V @ 3.3A, 10A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
20 @ 4A, 4V |
Leistung max |
1.75W |
Frequenz - Übergang |
2MHz |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket |
DPAK-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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