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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples › MJD3055T4G
MJD3055T4G

MJD3055T4G - ON Semiconductor

Numéro d'article
MJD3055T4G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN 60V 10A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MJD3055T4G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2928/pcs
Notre prix
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MJD3055T4G Description détaillée

Numéro d'article MJD3055T4G
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 10A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Puissance - Max 1.75W
Fréquence - Transition 2MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur DPAK-3
Poids -
Pays d'origine -

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