A2T18S262W12NR3

A2T18S262W12NR3 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
A2T18S262W12NR3
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
A2T18S262W12NR3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2432 pcs
Referenzpreis
USD 67.67544/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern A2T18S262W12NR3

A2T18S262W12NR3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer A2T18S262W12NR3
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen 19.3dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 1.6A
Leistung 231W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall OM-880X-2L2L
Lieferantengerätepaket OM-880X-2L2L
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR A2T18S262W12NR3