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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › A2T18H455W23NR6
A2T18H455W23NR6

A2T18H455W23NR6 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
A2T18H455W23NR6
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
A2T18H455W23NR6 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1185 pcs
Referenzpreis
USD 138.736/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern A2T18H455W23NR6

A2T18H455W23NR6 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer A2T18H455W23NR6
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen 14.5dB
Spannung - Test 31.5V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 1.08A
Leistung 56dBm
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall OM-1230-4L2S
Lieferantengerätepaket OM-1230-4L2S
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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