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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - RF › A2T18H455W23NR6
A2T18H455W23NR6

A2T18H455W23NR6 - NXP USA Inc.

Numero di parte
A2T18H455W23NR6
fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
A2T18H455W23NR6 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1185 pcs
Prezzo di riferimento
USD 138.736/pcs
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A2T18H455W23NR6 Descrizione dettagliata

Numero di parte A2T18H455W23NR6
Stato parte Active
Transistor Type LDMOS
Frequenza 1.805GHz ~ 1.88GHz
Guadagno 14.5dB
Voltaggio - Test 31.5V
Valutazione attuale 10µA
Figura di rumore -
Corrente - Test 1.08A
Potenza - Uscita 56dBm
Tensione - Rated 65V
Pacchetto / caso OM-1230-4L2S
Pacchetto dispositivo fornitore OM-1230-4L2S
Peso -
Paese d'origine -

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