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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - RF › A2T18S162W31SR3
A2T18S162W31SR3

A2T18S162W31SR3 - NXP USA Inc.

Numero di parte
A2T18S162W31SR3
fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
IC TRANS RF LDMOS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
A2T18S162W31SR3 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
A2T18S162W31SR3.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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263 pcs
Prezzo di riferimento
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A2T18S162W31SR3 Descrizione dettagliata

Numero di parte A2T18S162W31SR3
Stato parte Active
Transistor Type LDMOS
Frequenza 1.84GHz
Guadagno 20.1dB
Voltaggio - Test 28V
Valutazione attuale -
Figura di rumore -
Corrente - Test 1A
Potenza - Uscita 32W
Tensione - Rated 65V
Pacchetto / caso NI-780S-2L2LA
Pacchetto dispositivo fornitore NI-780S-2L2LA
Peso -
Paese d'origine -

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