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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › A2T18S165-12SR3
A2T18S165-12SR3

A2T18S165-12SR3 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
A2T18S165-12SR3
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
A2T18S165-12SR3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1937 pcs
Referenzpreis
USD 84.91/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern A2T18S165-12SR3

A2T18S165-12SR3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer A2T18S165-12SR3
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.805GHz ~ 1.995GHz
Gewinnen 18dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 800mA
Leistung 148W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall NI-780S-2L2L
Lieferantengerätepaket NI-780S-2L2L
Gewicht -
Ursprungsland -

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