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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF › A2T18S262W12NR3
A2T18S262W12NR3

A2T18S262W12NR3 - NXP USA Inc.

品番
A2T18S262W12NR3
メーカー
NXP USA Inc.
簡単な説明
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
A2T18S262W12NR3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2432 pcs
参考価格
USD 67.67544/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

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A2T18S262W12NR3 詳細な説明

品番 A2T18S262W12NR3
部品ステータス Active
トランジスタタイプ LDMOS
周波数 1.805GHz ~ 1.88GHz
利得 19.3dB
電圧 - テスト 28V
電流定格 10µA
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 1.6A
電力出力 231W
電圧 - 定格 65V
パッケージ/ケース OM-880X-2L2L
サプライヤデバイスパッケージ OM-880X-2L2L
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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