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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - RF › A2T18S262W12NR3
A2T18S262W12NR3

A2T18S262W12NR3 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
A2T18S262W12NR3
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
A2T18S262W12NR3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2432 pcs
Prix ​​de référence
USD 67.67544/pcs
Notre prix
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A2T18S262W12NR3 Description détaillée

Numéro d'article A2T18S262W12NR3
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain 19.3dB
Tension - Test 28V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 1.6A
Puissance - Sortie 231W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas OM-880X-2L2L
Package de périphérique fournisseur OM-880X-2L2L
Poids -
Pays d'origine -

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