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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - RF › A2T18S162W31GSR3
A2T18S162W31GSR3

A2T18S162W31GSR3 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
A2T18S162W31GSR3
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
A2T18S162W31GSR3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
A2T18S162W31GSR3.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
269 pcs
Prix ​​de référence
USD 98.7477/pcs
Notre prix
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A2T18S162W31GSR3 Description détaillée

Numéro d'article A2T18S162W31GSR3
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.84GHz
Gain 20.1dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 1A
Puissance - Sortie 32W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas NI-780GS-2L2LA
Package de périphérique fournisseur NI-780GS-2L2LA
Poids -
Pays d'origine -

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