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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - RF › A2T18S166W12SR3
A2T18S166W12SR3

A2T18S166W12SR3 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
A2T18S166W12SR3
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
A2T18S166W12SR3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3117 pcs
Prix ​​de référence
USD 52.785/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour A2T18S166W12SR3

A2T18S166W12SR3 Description détaillée

Numéro d'article A2T18S166W12SR3
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.805GHz ~ 1.995GHz
Gain -
Tension - Test -
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test -
Puissance - Sortie 38W
Tension - Rated 28V
Paquet / cas NI-780-2S2L
Package de périphérique fournisseur NI-780-2S2L
Poids -
Pays d'origine -

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