• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF › A2T18S160W31SR3
A2T18S160W31SR3

A2T18S160W31SR3 - NXP USA Inc.

品番
A2T18S160W31SR3
メーカー
NXP USA Inc.
簡単な説明
IC TRANS RF LDMOS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
A2T18S160W31SR3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
A2T18S160W31SR3.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
265 pcs
参考価格
USD 99.36/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください A2T18S160W31SR3

A2T18S160W31SR3 詳細な説明

品番 A2T18S160W31SR3
部品ステータス Active
トランジスタタイプ LDMOS
周波数 1.88GHz
利得 19.9dB
電圧 - テスト 28V
電流定格 -
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 1A
電力出力 32W
電圧 - 定格 65V
パッケージ/ケース NI-780S-2L2LA
サプライヤデバイスパッケージ NI-780S-2L2LA
重量 -
原産国 -

関連製品 A2T18S160W31SR3

画像 品番 メーカー 説明 見る
A2T18H100-25SR3 A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.81GHZ 詳細
A2T18H160-24SR3 A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 詳細
A2T18H410-24SR6 A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 詳細
A2T18H450W19SR6 A2T18H450W19SR6 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 詳細
A2T18H455W23NR6 A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 詳細
A2T18S160W31GSR3 A2T18S160W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 詳細
A2T18S160W31SR3 A2T18S160W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 詳細
A2T18S162W31GSR3 A2T18S162W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 詳細
A2T18S162W31SR3 A2T18S162W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 詳細
A2T18S165-12SR3 A2T18S165-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 詳細