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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT300DH60G
APTGT300DH60G

APTGT300DH60G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT300DH60G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT300DH60G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
248 pcs
Referenzpreis
USD 107.9718/pcs
Unser Preis
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APTGT300DH60G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT300DH60G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Asymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 430A
Leistung max 1150W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 300A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 24nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP6
Lieferantengerätepaket SP6
Gewicht -
Ursprungsland -

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