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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APTGT300DH60G
APTGT300DH60G

APTGT300DH60G - Microsemi Corporation

品番
APTGT300DH60G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTGT300DH60G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
239 pcs
参考価格
USD 107.9718/pcs
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APTGT300DH60G 詳細な説明

品番 APTGT300DH60G
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Asymmetrical Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 430A
電力 - 最大 1150W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 1.8V @ 15V, 300A
電流 - コレクタ遮断（最大） 350µA
入力容量（Cies）@ Vce 24nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP6
サプライヤデバイスパッケージ SP6
重量 -
原産国 -

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