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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGT300DH60G
APTGT300DH60G

APTGT300DH60G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGT300DH60G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGT300DH60G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
250 pcs
Prix ​​de référence
USD 107.9718/pcs
Notre prix
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APTGT300DH60G Description détaillée

Numéro d'article APTGT300DH60G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Asymmetrical Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 430A
Puissance - Max 1150W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 300A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 350µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 24nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP6
Package de périphérique fournisseur SP6
Poids -
Pays d'origine -

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