| Artikelnummer | APT75GN60LDQ3G |
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| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 155A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 225A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Leistung max | 536W |
| Energie wechseln | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 485nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 47ns/385ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | Einzelheiten |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | Einzelheiten |
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APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | Einzelheiten |
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APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | Einzelheiten |
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APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | Einzelheiten |
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APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | Einzelheiten |
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APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | Einzelheiten |
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APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | Einzelheiten |
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APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | Einzelheiten |
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APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | Einzelheiten |
