| 品番 | APT75GN60LDQ3G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 155A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 225A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| 電力 - 最大 | 536W |
| スイッチングエネルギー | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 485nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 47ns/385ns |
| テスト条件 | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 [L] |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | 詳細 |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | 詳細 |
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APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | 詳細 |
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APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | 詳細 |
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APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | 詳細 |
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APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | 詳細 |
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APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | 詳細 |
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APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | 詳細 |
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APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | 詳細 |
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APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | 詳細 |
