| Numero di parte | APT75GN60LDQ3G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 155A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Potenza - Max | 536W |
| Cambiare energia | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 485nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 47ns/385ns |
| Condizione di test | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | Dettagli |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | Dettagli |
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APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | Dettagli |
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APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | Dettagli |
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APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | Dettagli |
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APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | Dettagli |
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APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | Dettagli |
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APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | Dettagli |
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APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | Dettagli |
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APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | Dettagli |
