| Artikelnummer | APT75F50B2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1040W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Einzelheiten |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
|
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Einzelheiten |
|
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Einzelheiten |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
