| номер части | APT75F50B2 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 500V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 75A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 290nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 11600pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1040W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | T-MAX™ [B2] |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 Variant |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | подробности |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | подробности |
|
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | подробности |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | подробности |
|
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | подробности |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | подробности |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | подробности |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | подробности |
