| Artikelnummer | APT75DF170HJ |
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| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1700V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 75A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 75A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 1700V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Einzelheiten |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Einzelheiten |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Einzelheiten |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
