| Artikelnummer | APT10DC120HJ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Einzelheiten |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Einzelheiten |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Einzelheiten |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Einzelheiten |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Einzelheiten |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Einzelheiten |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Einzelheiten |
