| Numéro d'article | APT10DC120HJ |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 1200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 10A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Détails |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Détails |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Détails |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Détails |
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APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Détails |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Détails |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Détails |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Détails |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Détails |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Détails |
