| Numero di parte | APT10DC120HJ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Dettagli |
|
APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Dettagli |
|
APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Dettagli |
|
APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Dettagli |
 |
APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Dettagli |
|
APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Dettagli |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Dettagli |
|
APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Dettagli |
|
APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Dettagli |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Dettagli |
