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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › APT10035B2LLG
APT10035B2LLG

APT10035B2LLG - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT10035B2LLG
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT10035B2LLG Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4210 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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APT10035B2LLG Descrizione dettagliata

Numero di parte APT10035B2LLG
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5185pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 690W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore T-MAX™ [B2]
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Peso -
Paese d'origine -

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