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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › APT10035B2FLLG
APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT10035B2FLLG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT10035B2FLLG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7 pcs
Referenzpreis
USD 33.61/pcs
Unser Preis
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APT10035B2FLLG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT10035B2FLLG
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5185pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 690W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 370 mOhm @ 14A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Gewicht -
Ursprungsland -

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